- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HY3810P
HY3810P دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY3810P |
|---|---|
| حجم فایل | 54.662 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 14 |
دانلود دیتاشیت HY3810P |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY3810P
- Power Dissipation (Pd): 346W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 180A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,90A
- Package: TO-220
- Manufacturer: HUAYI
